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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

总分
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

总分
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Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

差异 规格 评论

差异

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB 需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 16.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,069.2 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 106
    左右 -324% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    106 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    3,273.7 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    2,069.2 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    734 left arrow 2680

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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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