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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
13.2
15.7
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
2868
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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