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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
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规格
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
13.2
16.1
写入速度,GB/s
7.8
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
3423
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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