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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
13.2
18.2
写入速度,GB/s
7.8
14.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
3510
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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