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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
13.2
17.6
写入速度,GB/s
9.3
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3336
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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