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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
66
左右 35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
66
读取速度,GB/s
13.2
16.1
写入速度,GB/s
9.3
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
1810
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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