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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
3,405.2
18.7
写入速度,GB/s
2,622.0
14.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3291
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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