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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
48
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
34
读取速度,GB/s
8.9
16.2
写入速度,GB/s
5.9
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3020
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-063.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
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