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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
12.3
22.0
写入速度,GB/s
7.8
19.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
4052
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
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