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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
18.5
写入速度,GB/s
7.8
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3722
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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