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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
74
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
25
读取速度,GB/s
4,178.4
12.4
写入速度,GB/s
2,201.1
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1511
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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