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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Kingston 9905630-025.A00G 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
12.3
15.4
写入速度,GB/s
7.8
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2504
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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