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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Kingston 9965596-023.B01G 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 -5% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
38
读取速度,GB/s
12.3
8.2
写入速度,GB/s
7.8
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
1824
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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