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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
40
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
39
读取速度,GB/s
12.3
8.8
写入速度,GB/s
7.8
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2083
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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