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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
48
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
48
读取速度,GB/s
12.3
11.6
写入速度,GB/s
7.8
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2466
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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