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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
11.4
16.3
写入速度,GB/s
7.7
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2995
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
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