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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
11.4
10.4
写入速度,GB/s
7.7
5.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
1806
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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