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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
11.4
15.4
写入速度,GB/s
7.7
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2786
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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