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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
39
读取速度,GB/s
15.3
13.7
写入速度,GB/s
9.8
11.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3018
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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