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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
15.3
14.3
写入速度,GB/s
9.8
10.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2201
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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