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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
15.3
13.2
写入速度,GB/s
9.8
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3068
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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