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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
17.7
写入速度,GB/s
870.4
13.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3266
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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