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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
16.1
16.8
写入速度,GB/s
10.1
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3154
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
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