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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
38
读取速度,GB/s
16.1
14.0
写入速度,GB/s
10.1
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2407
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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