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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
17.9
写入速度,GB/s
10.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3502
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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