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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
18.2
写入速度,GB/s
10.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3389
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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