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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
16.1
15.4
写入速度,GB/s
10.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3038
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
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