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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
69
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,329.2
1,857.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
69
52
读取速度,GB/s
4,217.2
4,594.7
写入速度,GB/s
1,857.7
2,329.2
内存带宽,mbps
6400
5300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
724
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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