Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Punteggio complessivo
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Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB

Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 5300
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    52 left arrow 69
    Intorno -33% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,329.2 left arrow 1,857.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    69 left arrow 52
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,217.2 left arrow 4,594.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,857.7 left arrow 2,329.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    668 left arrow 724
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