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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
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Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB

Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21% 高帯域
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB 考慮すべき理由
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 69
    周辺 -33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,329.2 left arrow 1,857.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 52
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 4,594.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 2,329.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 724

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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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