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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
16.1
15.0
写入速度,GB/s
10.1
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2478
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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