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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
18.5
写入速度,GB/s
10.1
14.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3434
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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