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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
18.6
写入速度,GB/s
10.1
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3938
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB RAM的比较
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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