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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.8
16.5
写入速度,GB/s
7.3
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3072
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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