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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
91
左右 73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
4.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
91
读取速度,GB/s
16.1
6.1
写入速度,GB/s
10.1
4.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1214
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
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