RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
91
Около 73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
4.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
91
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
6.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
4.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1214
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link