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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
25
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
20
读取速度,GB/s
16.1
19.0
写入速度,GB/s
10.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3410
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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