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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
81
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
81
读取速度,GB/s
16.1
13.5
写入速度,GB/s
10.1
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1523
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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