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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905624-046.A00G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
16.1
17.8
写入速度,GB/s
10.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3132
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
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