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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905670-012.A00G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
16.1
17.5
写入速度,GB/s
10.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3070
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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