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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
18.7
写入速度,GB/s
10.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3277
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB RAM的比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
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