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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
48
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
48
读取速度,GB/s
16.1
16.6
写入速度,GB/s
10.1
15.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2963
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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