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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
5.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
10.8
写入速度,GB/s
10.1
5.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1735
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
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