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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
16.1
15.8
写入速度,GB/s
10.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2835
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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