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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
16.1
11.7
写入速度,GB/s
10.1
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1997
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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