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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
104
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
27
读取速度,GB/s
3,192.0
17.7
写入速度,GB/s
2,404.5
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3587
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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