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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
16.1
15.0
写入速度,GB/s
10.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2549
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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