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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
63
读取速度,GB/s
16.1
14.7
写入速度,GB/s
10.1
12.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2543
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9905316-152.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
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