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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
55
左右 55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
55
读取速度,GB/s
16.1
19.0
写入速度,GB/s
10.1
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2239
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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