RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
55
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2239
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link